کاربرد روش مونته‌کارلوی تصحیح شده کوانتومی برای یک دیود تونلی تشدیدی (RTD)
نویسندگان
چکیده مقاله:
معادله‌ی انتقال بولتزمن(BTE) معادله‌ی پایه‌یی است که برای شبیه‌سازی ادوات نیمه‌هادی به‌کار می‌رود. BTEمعادله‌یی نیمه کلاسیک است که برخی اثرات کوانتمی از جمله تونل زدن را در نظر نمی‌گیرد. می‌توان با استفاده از معادله‌ی انتقال ویگنر، ضمن تصحیح معادله‌ی BTE، اثرات کوانتمی را لحاظ کرد. از روش مونته‌کارلو به‌منظور حل BTE تصحیح شده‌ی کوانتمی برای RTD استفاده شده است. مطابق انتظار، یک منحنی جریان ـ ولتاژ با شیب منفی به دست می‌آید. در این نوشتار نحوه‌ی عملکرد پتانسیل مؤثر در نتیجه دادن شیب منفی مورد بحث واقع شده است. به این منظور، منحنی جریان ـ ولتاژ به سه ناحیه تقسیم شده و در هر ناحیه تغییرات پتانسیل الکترواستاتیک، پتانسیل مؤثر و چگالی حامل مورد بررسی قرار گرفته است.
منابع مشابه
ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه کوانتومی
در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل‌زنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه‌های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...
متن کاملمشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی
In this paper, current-voltage characteristic of a resonant tunneling diode under electromagnetic radiation has been calculated and compared with the results when there is no electromagnetic radiation. For calculating current -voltage characteristic, it is required to calculate the transmission coefficient of electrons from the well and barrier structures of this device. For calculating the tr...
متن کاملترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه کوانتومی در رژیم غیربرهم‌کنشی
In this paper, we used green's function approach in microscopic theory to investigate a resonant tunneling diode (RTD). We introduced the detailed Hamiltonian for each part of the photovoltaic p-i-n system, then by calculating the green's function components in tight-binding approximation, we calculate local density of states and current-voltage characteristic of the p-i-n structure. Our result...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره دوره 23 شماره 38 - ویژه مهندسی برق و کامپیوتر
صفحات 109- 113
تاریخ انتشار 2007-06-22
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023